IBM发布比闪存快70倍的新技术PCM

　　IBM 研发储存技术有新突破。(Source：IBM Research)

　　根据《TheVerge》报导，这项技术叫「相变化内存(Phase-change memory，PCM)」，通过改变 PCM 上硫化物型态所产生的不同电流来读写数据。因具有读写速度快、耐用、非挥发性(non-volatility)等优势，一直被视为储存科技的潜力股，但在过去受限于成本过高和储存有限，一个储存单位(cell)仅能存 1bit，难以应用于计算机和行动装置上，仅被用在蓝光光盘。现在，IBM 研发出 PCM 每储存单位可存 3bit 而不受周围温度影响，突破储存密度的限制可让 PCM 的成本远低于 DRAM，大幅度提升 PCM 实际应用于商业的可能。

　　不像 DRAM 在中断电力后会失去数据，PCM 和闪存一样，在失去电力的情况下也可暂存数据。跟闪存相比，PCM 可写入至少 1 千万次，闪存平均仅能写入约 3,000 次。此外，根据《Engadget》报导，PCM 的读取速度少于 1 微秒，闪存则约 70 微秒。这些特性让 PCM 有望成为改变数据处理的革新技术。

　　PCM 与现有储存技术相比。(Source：IBM Research)

　　PCM 的技术革新对计算机和手机都有重要影响力。根据 IBM 的说法，PCM 可用来取代目前 RAM 在桌机的应用，此外，通过使用 PCM 和闪存的混合形式，也可大幅提升行动装置的速度。例如，手机操作系统可储存于 PCM，几秒内就可开机。从企业端来看，可将数据库储存在 PCM，加快时间至上的在线服务，例如金融交易。IBM 新闻稿指出。云端人工智能应用也可受惠于 PCM，IBM 表示：使用大量数据库的机器学习算法，可在每次重复读取数据时减少延迟时间，加快进展速度。