英飞凌800 V CoolMOS™ P7系列 助客户提效率及降耗
[摘要] 英飞凌推出基于超级结技术的800 V CoolMOS™ P7系列产品,兼具超高的性能和优异的易用性,非常适于低功率SMPS应用,可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。
800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品,这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数,包括Eoss和Qg降低50%以上,以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的最低 RDS(on)值,从而实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。
易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力,从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的最小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。
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