中微告美商科林侵权一审胜诉

　　中微半导体设备表示，其提告美商科林研发股份公司（Lam Research Corporation）侵犯商业秘密案已在一审判决获得胜诉。中微是在2010年12月向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张科林研发侵犯中微的商业秘密。
 
　　中微主张科林研发非法获取中微机密的技术文件和机密的反应腔内部照片。中微还主张科林研发安排其技术专家在证据保全时不恰当地察看和测量中微刻蚀机的内部结构，然后使用获取的信息于2009年向台湾智慧财产法院起诉中微专利侵权，试图影响中微产品进入台湾市场，但最终科林研发败诉。
 
　　在法院3月27日作出的判决中，法院命令科林研发销毁其非法持有的照片，禁止科林研发和其员工披露、使用或允许他人使用中微的技术秘密，并要求科林研发赔偿中微法律费用90万元人民币。
 
　　中微的主要业务是等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备，现已应用在45纳米到1X纳米及先进加工工艺和封装工艺中，截至目前已有超过600个中微刻蚀反应台在亚洲地区30多条生产线上运行，另外，中微开发的用于LED和功率器件外延片大规模生产的MOCVD设备也已经在国内多条生产线上正常运行。