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凌力尔特推高压侧MOSFET驱动器 提供100%占空比能力
[摘要] LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时，很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。
据悉，亚德诺半导体旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时，很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。
LTC7004 采用 MSOP-10 封装，具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围，扩展和工业级版本的范围为 –40°C 至 125°C，高温汽车级版本的范围为 –40°C 至 150°C，军用级的范围为 –55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片 2.05 美元。
照片说明：快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
性能概要： LTC7004
· 宽 VIN 工作范围：0V 至 60V (65V 绝对最大值)
· 内部充电泵提供 100% 占空比能力
· 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间
· 很短的 35ns 传播延迟
· 可调的接通转换率
· 3.5V 至 15V 栅极驱动器电源
· 可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁
· 可调 VIN 过压闭锁
· CMOS 兼容输入
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据悉，亚德诺半导体旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双平衡混频器 LTC5552，该器件在 3GHz 至 20GHz 范围内提供同类最佳的带宽匹配能力。该混频器可用作上变频器或下变频器。由于其支持 DC 的差分 IF 端口使得 LO 在频率上接近于 RF，因此 LTC5552 特别适用于上变频应用。它的低 LO 至 RF 泄漏 (少于 –25dBm) 极大地减轻了外部滤波器所承受的负担。
