东芝内存公司(Toshiba Memory Corporation)日前推出容量达1,024GB的SATA客户端固态硬盘(SSD) SG6系列,该系列产品采用4层3-bit-per-cell (TLC) BiCS FLASH,提供三种容量:256GB、512GB和1024GB,现已针对PC OEM出样,预计第四季起逐步增加出货量。
数据中心基础设施研究和分析网站IT Brand Pulse日前公布了一份有关闪存存储与NVMe产品的IT品牌领导企业调研报告,报告显示戴尔EMC (Dell EMC)在五个产品类别中居冠;美光(Micron)和三星电子(Samsung)分别在两个产品类别中胜出;而Mellanox、NetApp和西数(Western Digital)成绩斐然。
东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)日前推出采用64层3D闪存的单一封装NVM Express (NVMe)客户端固态硬盘(SSD) BG3系列。新的SSD在球栅阵列(BGA)封装之内集成东芝的64层3-bit-per-cell(三阶存储单元,TLC)BiCS FLASH和控制器,并已面向PC OEM客户出货小批量样品。
东芝存储公司新推出宣布推出采用薄型单面规格、容量高达1024GB的XG5系列客户级固态硬盘(SSD)。新产品搭载了东芝最新的64层3bit-per-cell TLC BiCS FLASH存储器,是集成64层3D闪存的全新NVM Express(NVMe)SSD。
Cavium, Inc.表示,其QLogic系列Gen 6光纤通道和FastLinQ以太网适配器将支持NVMe over Fabrics(NVMe-oF)技术,从而扩展闪存存储平台。
近日已通过PCI-SIG合规测试,意味着未来设计师能将超低功率的PCIe3 PHY IP,整合至以28纳米制程技术为目标的装置。其精简的面积减少了SoC芯片大小并降低成本。
今年初宣布其固态硬盘(SSD)控制芯片取得BiCS3测试验证的群联电子(Phison),日前再推出PS8131内存控制芯片,与前一代2D NAND版本相比,这款可搭载东芝64层垂直存储、3D NAND ( BiCS3)技术之SD 5.1 A1规范兼容的MaxIOPS系列内存卡控制芯片效能速度要快上二倍。
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