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中芯国际与Crossbar结晶 40nm ReRAM芯片出样

2017-01-18 09:04:24来源:智能电子集成

[摘要] 据介绍,与NAND芯片相比,中芯国际试产的ReRAM芯片具备诸多优势。另外,按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

  近日,中芯国际与Crossbar结晶即40nm ReRAM存储芯片出样,与NAND芯片相比,具备诸多优势。另外,按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

  目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。

  据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

中芯国际与Crossbar结晶 40nm ReRAM芯片出样

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[责任编辑:黄文凤]

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