华虹半导体第三代Super Junction技术研发有望商用

　　华虹半导体在功率器件产品稳定量产上拥有逾10年的经验。公司于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出了沟槽型SJNFET工艺平台，令华虹半导体成为业界首家提供超级结工艺平台的晶圆代工公司。经过多年发展，华虹半导体在Super Junction技术领域积累了丰富的研发和生产经验，相继推出了第一代、第二代工艺平台，并紧跟业界超级结产品的发展，持续进行平台的创新升级。

　　华虹半导体最新研发的第三代SJNFET技术平台不仅保持了前几代工艺流程紧凑的特点，而且还开发出了沟槽栅的新型结构，相比前两代的平面栅结构，可以更有效地降低结电阻，且进一步缩小了元胞(cell pitch)面积。导通电阻与第二代工艺相比，更是下降了30%以上，以600V器件为例，单位面积导通电阻Rsp实测值为1.2ohm.mm2。第三代SJNFET工艺平台将为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。

　　功率半导体是开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件，也是降低功耗、提高效率的关键。在人们对高效节能越来越重视的现今，绿色能源技术必将得到更广泛的应用，功率半导体的需求也将持续提升。Super Junction技术凭借更低的功耗，高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源需求，其在传统的PC电源及云服务器电源也有优异的表现。

　　华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“通过与客户在设计优化、系统解决方案及市场渗透方面的携手努力，我们独特且具竞争力的超级结MOSFET平台自量产以来出货量与日俱增，累计超过200,000片晶圆。华虹半导体新一代SJNFET工艺平台的推出，将进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位。我们将尽快实现第三代SJNFET工艺平台的商用，以满足客户对更具竞争力的高压功率芯片产品解决方案的需求。”