群联SSD控制芯片优化大容量存储效能

　　今年初宣布其固态硬盘(SSD)控制芯片取得BiCS3测试验证的群联电子(Phison)，日前再推出PS8131内存控制芯片，与前一代2D NAND版本相比，这款可搭载东芝64层垂直存储、3D NAND ( BiCS3)技术之SD 5.1 A1规范兼容的MaxIOPS系列内存卡控制芯片效能速度要快上二倍。

　　PS8131提供高于前一代产品2倍的随机写入速度 (从 500 IOPS 提升至 1300 IOPS)，并强化了控制芯片的硬件及韧体架构，而且不仅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系统，还能支持最新的Nougat操作系统，与智能行动装置的内存透过嵌入式扩展存储功能 (Adoptable storage function)的整合运作，让终端使用者能有更高的内存存储容量可以使用，提升用户经验。

　　在技术发展上，PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECC纠错技术，因此不但具备精简及低功耗的设计特性，也提升了3D NAND Flash的可靠度，且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层垂直存储的 3D NAND ( BiCS3)的高容量存储解决方案，而PS8131容量支持将从32G至256GB皆可达到优化表现。

　　另方面，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 规范 (Application Performance Class)，具备超高性能，表现在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 轻松达到2000/1300， 远高于SD 5.1 A1 规范的1500/500，不但能为Android 7.0 / 6.0装置的用户提供即刻扩充内部内存容量的便利性，能更好地与行动装置内存整合运作，将行动装置用户体验提升到全新水平，以满足日益增加的高容量移动存储需求的智能型手机、平板计算机等新一代行动装置扩充内存的需求。

　　群联表示，取得BiCS3测试验证象征着该公司已为迎接由东芝主导的3D NAND Flash时代做好准备。群联是东芝的合作伙伴，有鉴于日本东芝将持续推升48层、64层等次世代3D NAND Flash先进制程技术，并预计于今年新推出3D NAND Flash高容量BiCS3芯片，群联电子相关SSD控制芯片产品抢在今年首季取得BiCS3测试验证，以预作准备。

　　目前群联电子的SSD控制芯片主要产品包括有PS3110- S10(简称S10)、PS3111- S11(简称S11)，皆已于今年2月份正式取得BiCS3验证，因此在可预见的未来里，一旦NAND Flash制造原厂日本东芝正式推出BiCS3芯片，群联电子的S10、S11即可进行搭载设计取得市场先机，为日本东芝扩大3D NAND Flash的市场版图增添新动能。