三星攻低端芯片市场 向中国3D NAND厂再投89亿美元

　　目前全球内存市场持续高烧，其中Flash缺货情况比DRAM更为严重，三星电子于5月29日表示，正在考虑扩大其中国制造基地的存储器芯片产能，并计划投89亿美元扩产西安3D NAND厂，专注生产较低端芯片，多数供应中国手机市场，而韩厂将专注于生产高端芯片。三星预估投产时间落为2019年，与大陆内存厂产出的时间相近，是否会引发市场供需陷入供过于求?

　　三星发言人称，正在考虑扩大西安工厂的产能，但具体细节还未确定，包括可能的投资规模以及新增产能将用于生产哪些产品。内存业界指出，各家原厂3D NAND Flash逐步开出，但预期今年内供需失衡的情况仍难以完全改善，所以整体市况仍偏向乐观。

　　消息人士称，三星与当地政府正进行协商最后阶段。 很可能在9月动工。 三星西安厂现有第一产线是在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的第二产线，产量将达20万片。

　　三星此前已在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片，现在计划让位于韩国京畿道平泽市的全新NAND芯片厂自6月启动营运，月产能可达20万片。

　　消息人士还称，三星大陆厂将生产较低端芯片，多数供应中国手机市场，而韩厂将专注于生产高端芯片。

　　由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长，以及随着技术越来越复杂，投资的生产收益下降，预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS预计，今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1，040亿美元。

　　业界高管和分析师表示，3D NAND供应商2017年全年可能难以满足客户的订单。三星提高资本支出增产3D NAND Flash，预估投产时间落为2019年，与大陆内存厂产出的时间相近，是否会引发市场供需陷入供过于求，目前还难断定。

　　群联电子董事长潘健成表示，3D NAND工艺难度高，且需求相当强劲，主要制造大厂均表示未来三年的产能仍无法供应，因此预料三星增产3D NAND芯片，应是看好在3D NAND芯片取得较佳机会。

　　潘健成认为，至少二年内，NAND芯片会一直缺货，而且今年第3季将是史上最缺货的一季。

　　此外，三星资本支出集中增产3D NAND Flash，目前虽未有增产DRAM计划，但对DRAM厂而言，仍将处于供需平衡阶段。 业界评估，DRAM价格涨势已逐渐到达临界点，渠道商也已建立一定的库存，因此或许后续第3季的价格就会开始盘整。

　　南亚科则估计，今年DRAM也是处于缺货的一年，下半年以第3季缺货程度最高，缺口估有1%~2%，预料进入传统备货旺季，DRAM价格会再看涨。