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15纳米DRAM是制程微缩极限?美光研发13纳米DRAM追赶三星

2017-06-01 11:12:39来源:智能电子集成

[摘要] 从20纳米等级转进10纳米等级制程,缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓,而越接近电流外泄和电容器干扰更为明显的15纳米,三星未来将可能难以通过制程微缩拉大与竞争对手的差距。

  较早前有消息称,三星欲投资26.4亿美元扩充华城厂17线的DRAM产能,生产10纳米等级的DRAM。另,将在17线旁的停车场另盖新厂,或用于生产7纳米的系统半导体。该公司率先量产18纳米DRAM,在电子制程上把竞争者抛在身后,其最有力的竞争者美光(Micron)和 SK 海力士(SK Hynix)也动作频频,呈追赶之势。

  三星连霸25年DRAM存储器半导体市占率第一,在制程技术上领先对手约莫1~2年。2016年下半首先量产18纳米DRAM,业界预估15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,三星计划今年下半推进至15纳米。

  从20纳米等级转进10纳米等级制程,缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓,而越接近电流外泄和电容器干扰更为明显的15纳米,三星未来将可能难以通过制程微缩拉大与竞争对手的差距。

  与此同时,DRAM第三大厂美光拼命追赶,已于2017年Q1量产18纳米DRAM,并计划未来2、3年斥资20亿美元,研发13纳米 DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。

  另一家竞争对手SK 海力士,也准备在今年下半量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。与美光加速追赶以期弯道超车策略不同的是,SK 海力士稳扎稳打,优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向 18 纳米。SK 海力士人员透露,该公司正在研发1y DRAM 制程,但是还不确定量产时间。

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  消息人士称,三星打算在2017年底提高30% 18纳米DRAM的生产比重。从以往策略来看,三星可能以利润优先,鲜少采用扩产抢市打乱价格方式。

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[责任编辑:黄晓玲]

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