IC Insights：2017内存销售将创下历史记录

　　DRAM和NAND的价格在2016年下半年开始上涨，并持续到2017年上半年.。从3Q16至2Q17，DRAM内存芯片的平均销售价格上涨了16.8%;NAND闪存芯片的价格则在同期上涨了11.6%。

　　            图：全球DRAM和NAND存储芯片的季度平均销售价格。(IC Insights, 2017.07)

　　随着DRAM的ASP自2016年第三季度开始大幅增长，DRAM厂商再次加大了对这一领域的支出。然而，这些支出大部分投资在技术而非扩张产能。

　　IC Insights认为，2017年基本上所有的闪存支出都将用于3D NAND闪存技术，而不是平面闪存。预计今年NAND闪存资本支出将大幅增长，同时三星将在韩国平泽的大型新晶圆厂扩大3D NAND生产。

　　在内存市场中，过多的资本支出通常会导致产能过剩以及随之而来的降价。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/ SanDisk和XMC /长江存储均计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存的产能，同时还有其他的中国生产商可能进入市场。未来几年内3D NAND闪存供过于求的可能性非常高。

　　IC Insights调查，DRAM的季度平均销售价增长率在4Q16达到顶峰，但在今年第二季度继续呈强劲上涨态势。预计DRAM平均销售价将在3Q17持续上升，但在4Q17开始下降。

　　即便是DRAM内存芯片的平均销售价格涨幅预计将在今年下半年放缓，DRAM内存芯片的年平均销售价格增速仍预计会达到63%。这也是IC Insights自1993年统计该项数据以来，年度涨幅最大的一年。历史上，DRAM的平均销售价在1997年以57%的年增率创下历史高点;而NAND则预计在2017年以33%的ASP年增长率创下记录。