面向快速充电器的MOSFET支持4.5V驱动

　　东芝(Toshiba) 旗下的存储与电子元器件解决方案公司推出了新系列低电容瞬态抑制二极管，新元件共有10款，分别为DF2B5M4SL、DF2B5M4CT、DF2S5M4SL、DF2S5M4CT、DF10G5M4N、DF2B6M4SL、DF2B6M4CT、DF2S6M4SL、DF2S6M4CT、DF10G6M4N。
 
　　这些新型低电容瞬态抑制二极管面向移动设备高速接口，提升了保护性能，适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等移动设备的高速接口，可为包括USB 3.0／3.1和HDMI在内的高速接口提供防静电放电（ESD）和防噪音保护。
 
　　该新系列包括5款3.3V产品和5款5.0V产品，用户能够选择与自己系统所需接口电压匹配的产品。这些瞬态抑制二极管采用新开发的EAP-IV工艺制造，而该工艺采用了东芝专有的Snapback技术。与东芝目前产品相比，动态电阻提高了约50%，动态电阻可以吸收静电放电和噪音，因而实现了低箝位电压。此外，与东芝目前产品相比，静电放电耐受性提高了约75%，因而有助于提高系统可靠性。
 
　　东芝提供三种封装选择，具体视封装空间而定。封装选项中的“SOD-962（SL2）”（0.62×0.32mm）和“SOD-882（CST2）”（1.0×0.6mm）为小尺寸封装，适合于多端口，包括应用日益增多的USB Type-C。流通型“DFN10”封装（2.5×1.0mm）则可降低线路产生的电感。