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IC Insights:半导体资本支出再创新高 DRAM激增53%

2017-09-06 16:21:17来源:智能电子集成

[摘要]  随着半导体资本支出在今年上半年大幅增加,IC Insights将2017年度的半导体资本支出预测提高至809亿美元,较2016年的673亿美元增长20%,同时创下了历年新高;其中增长幅度最大的产品类别是DRAM,预估2017资本支出将激增53%。

  随着半导体资本支出在今年上半年大幅增加,IC Insights2017年度的半导体资本支出预测提高至809亿美元,较2016年的673亿美元增长20%,同时创下了历年新高;其中增长幅度最大的产品类别是DRAM,预估2017资本支出将激增53%

  晶圆代工今年资本支出约228亿美元,将较去年略增4%,是半导体资本支出金额最多的领域,所占比重将达28%。其次是NAND闪存,2017年预计支出190亿美元,同比增长33%,占比24%。而其中增幅最高的是DRAM,预计今年资本支出金额达130亿美元,同比增长达53%

  随着DRAM价格自2016年三季度以来大幅上涨,DRAM厂商再次加大了资本支出。然而,尽管主要支出都用于投资在先进技术,但DRAM生产商海力士(SK Hynix)最近也承认仅靠技术进步就无法满足需求,需要增加晶圆产生。

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                            图:2017半导体资本支出产品类别。(IC Insights)

 

  在闪存方面,2017年闪存的所有资本支出都将投资在先进的3D NAND处理技术,包括三星(Samsung)在韩国平泽(Pyeongtaek)的新晶圆厂在内,也将投入3D NAND的生产。

  虽然今年度半导体资本支出预期将创下新高,特别是内存部份增长都创新记录,但内存市场的历史表明,过多支出通常会导致产能过剩和随之而来的价格下跌。随着三星、海力士、美光(Micron)英特尔(Intel)东芝/西部数据/ SanDiskXMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(新中国制造商可能进入市场),IC Insights也提醒未来NAND闪存市场风险也正日益增长。


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[责任编辑:董义华]

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