IC Insights：半导体资本支出再创新高 DRAM激增53%

　　随着半导体资本支出在今年上半年大幅增加，IC Insights将2017年度的半导体资本支出预测提高至809亿美元，较2016年的673亿美元增长20%，同时创下了历年新高；其中增长幅度最大的产品类别是DRAM，预估2017资本支出将激增53%。

　　晶圆代工今年资本支出约228亿美元，将较去年略增4%，是半导体资本支出金额最多的领域，所占比重将达28%。其次是NAND闪存，2017年预计支出190亿美元，同比增长33%，占比24%。而其中增幅最高的是DRAM，预计今年资本支出金额达130亿美元，同比增长达53%。

　　随着DRAM价格自2016年三季度以来大幅上涨，DRAM厂商再次加大了资本支出。然而，尽管主要支出都用于投资在先进技术，但DRAM生产商海力士(SK Hynix)最近也承认仅靠技术进步就无法满足需求，需要增加晶圆产生。

                            图：2017半导体资本支出产品类别。(IC Insights)

　　在闪存方面，2017年闪存的所有资本支出都将投资在先进的3D NAND处理技术，包括三星(Samsung)在韩国平泽(Pyeongtaek)的新晶圆厂在内，也将投入3D NAND的生产。

　　虽然今年度半导体资本支出预期将创下新高，特别是内存部份增长都创新记录，但内存市场的历史表明，过多支出通常会导致产能过剩和随之而来的价格下跌。随着三星、海力士、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（新中国制造商可能进入市场），IC Insights也提醒未来NAND闪存市场风险也正日益增长。